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  • 地   址:
    上海 上海 嘉定区 中国上海市嘉定区南翔高科技产业园区
是否进口:否产地:上海等级:超纯、高纯
类别:单质含量:99.9%品牌:CWNANO
用途范围:导电,杀菌,抑菌产品名称:纳米氮化钒粉是否危险化学品:否
货号:纳米氮化物粉末产品规格:纳米硅粉CAS:吸热隔热复合粉
特色服务:纳米碳化硼粉

热销纳米氮化钒粉***批发零售详细介绍


纳米氮化钒粉

纳米氮化钒粉 /a/danhuawu/61.html

热销纳米氮化钒粉***批发零售


技术参数

                    产品归类

                    型号

                    平均粒径(nm)

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                    纯度
(%)

                    比表面积(m2/g)

                    体积密度(g/cm3)

                    晶型

                    颜色

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                    纳米级

                    CW-VN-001

                    40

                    >99.0

                    30.2

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                    1.29

                    立方

                    黑色

                    加工定制

                    根据客户需求适当调整产品纯度及粒度

热销纳米氮化钒粉***批发零售

主要特点
纳米氮化钒、超细氮化钒粉通过可变电流激光离子束气相法制备,产品粒度分布均匀,量产大,可以大量应用到硬质合金方面,高的表面活性,可以很好的分散在合金材料中,起到合金弥散强化作用。氮化钒,别名是钒氮合金是一种新型合金添加剂,可以替代钒铁用于微合金化钢的生产。氮化钒添加于钢中能提高钢的强度、韧性、延展性及抗热疲劳性等综合机械性能,并使钢具有良好的可焊性。在达到相同强度下,添加氮化钒节约钒加入量30-40%,进而降低了成本。
应用领域
1钒氮合金可用于结构钢,工具钢,管道钢,钢筋及铸铁中。钒氮合金应用于高强度低合金钢中可同时进行***钒、氮微合金化,促进钢中碳、钒、氮化合物的析出,更***发挥沉降强化和细化晶粒作用;
2氮化钒(VN)具有十分高的热、化学稳定性和强的机械性能,广泛用于切削工具、磨具和结构材料;也是一种良好的催化剂,具有高催化活性、高选择性、良好的稳定性和抗中毒性能。细粒度的VN能有效提高催化活性,改善结构材料的韧性。
技术支持
公司可以提供纳米氮化钒在合金材料中、结构器件、高强度刀具上的应用技术支持,具体应用咨询请与销售部人员联系。咨询邮箱sales@cwnano.com QQ 892050749
包装储存
本品为惰气包装,应密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜长久暴露于空气中,防受潮发生团聚,影响分散性能和使用效果。 
产品资料、技术咨询、索样:
联系人:李经理(Mr.Li)
电话:13918946092 微信:13918946092  QQ1752423251邮箱:sales@cwnano.com





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上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展字号

           近年来,半导体纳米线因为其准一维的结构特征,在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件,如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中,纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收,而其中的电子(空穴)迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材料的值;相对而言,载流子寿命尤其是少子寿命已经成为限制纳米线光电器件性能进一步提升的关键参数。与此同时,功能性的n型或p型掺杂是实现纳米线电子、光电效能的基本条件之一,但受这类材料高比-表面积的影响,掺杂可能偏离预期的电子学目标,因此这方面微观机制的澄清将有益于纳米线走向实际应用。

      中科院上海技术物理研究所红外物理***实验室博士研究生夏辉等在合作导师的指导下,使用聚合物包裹的砷化镓(GaAs)纳米线,并利用基于导电原子力显微术的纳米光电子学研究平台,实现了对单根外延纳米线的测量。该实验方案相对于常用的单纳米线器件测量方法,避免了光刻、离子束观测等器件制作工艺对半导体纳米线的损伤,因而更利于考察原生纳米线的本征性质。

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      区别于常规薄膜和体材料,他们在GaAs纳米线中观察到了因n型掺杂带来的奇异线性光电流现象。研究人员通过建立考虑纳米线结构特征的数值模型,复现了不同掺杂条件下单纳米线的光电流-偏压曲线,并从中提取了单纳米线的少子(空穴)寿命。进一步的比较分析发现,由于表面电子态的大量存在,在相当浓度的掺杂条件下(n=-3),n型杂质释放的电子可能倾向于占据表面态,从而成为光生空穴的复合通道。

      这一机制澄清了半导体纳米线中少子寿命***低于薄膜材料体系的微观起源,并有助于纳米线表面特性的控制和掺杂纳米线光电性能的优化应用。

      该项工作得到了973项目、国家自然科学基金、中国科学院国际合作团队计划的资助。相关论文发表在最近一期的ACS Nano上(6卷,6005-6013) 。 


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