纳米氮化钛粉***报价详细介绍

纳米氮化钛粉

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纳米氮化钛粉***报价

技术参数

主要特点
纳米氮化钛、超细氮化钛粉通过可变电流激光离子束气相法制备，纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，表面活性高，富氮量高（>35%），耐高温，抗氧化，硬度高，优异的吸收红外线性能（80%以上），紫外光屏蔽大于85%以上，可以应用在隔热涂料及汽车陶瓷膜上面，起到隔热及控温作用。该材料具有良好的导电性，可用作熔盐电解的电极和电触头等导电材料，用于增韧陶瓷以及耐高温结构陶瓷效果非常之好。
应用领域
1纳米氮化钛塑料应用到包装材料上高阻隔、解决泛黄特性的应用：采用纳米TiN复合材料阻隔技术，将Nano-TiN与树脂复合形成复合材料，这些纳米粒子能够阻塞分子间隙，使气体难以扩散渗透，从而提高了树脂、塑料的阻隔性。由于加入的纳米材料数量非常少，这种材料可以在现有的各种工艺上直接应用，不需要更新设备。添加比例为万分之一都可以***聚酯的外观透明，清晰，阻隔性能提高8倍以上，由于我们的氮化钛的含氮量高，所以分散得到的氮化钛浆料是淡蓝色，无需添加任何颜色调料，就可以遮蔽了聚酯本身的泛黄特性（***性解决泛黄），减少客户添加大量着色剂，降低成本；
2在PET工程塑料里的应用：少量纳米氮化钛粉体用在热塑性工程塑料如PET，PA等等，可以当做结晶成核剂使用，将纳米氮化钛分散与乙二醇中调配成纳米浆料，通过聚合的方式使纳米氮化钛更好的分散与PET工程塑料中，可以大大加快PET工程塑料的结晶速率，使其成型简单，扩大PET工程塑料的应用范围。同时数目众多的纳米氮化钛颗粒弥散与PET中，由于纳米效应可以使PET工程塑料的耐磨性能，抗冲击性能得到很大幅度的提高；
3高热辐射率涂层的应用：高含氮量纳米TiN粉作为高温中使用的高热辐射率涂层材料的关键材料，添加该组分所研制的涂层材料采用等离子喷涂技术制备的涂层，检测发现热辐射率性能大幅度提高，该产品主要应用于高温炉窑节能、***等方面；
4如研制无铅焊锡材料，在锡、银、铜、锌等合金中掺入微量氮化钛纳米粉体，使熔融温度降低200℃，生成合金更均匀，减少氧化物固溶体的温度30℃，既能达到原来铅锡焊料使用温度，如果能进一步改善浸润性，即解决现有无铅焊料应用难度；
5制备绿色电子材料不能使用铅、镉、***铬等有害元素，高温粘结玻璃相无铅、镉陶瓷介质，封装玻釉料等难题是固相合成温度高、软化点高、成瓷温度高，如能加入微量氮化钛纳米粉体能使固相反应温度降低200℃，即使降低50℃，能够使用原有工艺设备，也是大的突破。氧化钛及其固溶体本身就是电子材料中的组成，通过纳米形式引入可能带来性能有益的突变；
6污染法限制含溴（Br）、苯聚合物的使用，给电子阻燃型、塑件外壳骨架带来难题，如果在工程塑料中添加微量的氮化硅、碳化硅、氮化钛、碳化钛等纳米粉体，不仅增加机械强度、耐磨、耐热等性能，如能取代含溴元素的阻燃材料性能，对有机聚合物的应用也是很大的突破；
7其他领域的应用：在纳米复合硬质刀具、硬质合金、高温陶瓷导电材料、耐热耐磨材料、弥散强化材料等，也可以应用于燃料电池的电极催化剂、防静电材料和导电陶瓷中。
技术支持
公司可以提供纳米氮化钛、超细氮化钛在隔热涂料、硬质合金、粉末冶金中的应用技术支持，具体应用咨询请与销售部人员联系。咨询邮箱sales@cwnano.com QQ 892050749
包装储存
本品为惰气包装，应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。 
产品资料、技术咨询、索样：
联系人：李经理（Mr.Li）
电话：13918946092 微信：13918946092  QQ1752423251邮箱：sales@cwnano.com

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上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展字号

           近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子（空穴）迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材料的值；相对而言，载流子寿命尤其是少子寿命已经成为限制纳米线光电器件性能进一步提升的关键参数。与此同时，功能性的n型或p型掺杂是实现纳米线电子、光电效能的基本条件之一，但受这类材料高比-表面积的影响，掺杂可能偏离预期的电子学目标，因此这方面微观机制的澄清将有益于纳米线走向实际应用。

    　　中科院上海技术物理研究所红外物理***实验室博士研究生夏辉等在合作导师的指导下，使用聚合物包裹的砷化镓（GaAs）纳米线，并利用基于导电原子力显微术的纳米光电子学研究平台，实现了对单根外延纳米线的测量。该实验方案相对于常用的单纳米线器件测量方法，避免了光刻、离子束观测等器件制作工艺对半导体纳米线的损伤，因而更利于考察原生纳米线的本征性质。

    　　区别于常规薄膜和体材料，他们在GaAs纳米线中观察到了因n型掺杂带来的奇异线性光电流现象。研究人员通过建立考虑纳米线结构特征的数值模型，复现了不同掺杂条件下单纳米线的光电流-偏压曲线，并从中提取了单纳米线的少子（空穴）寿命。进一步的比较分析发现，由于表面电子态的大量存在，在相当浓度的掺杂条件下（n=-3），n型杂质释放的电子可能倾向于占据表面态，从而成为光生空穴的复合通道。

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    　　这一机制澄清了半导体纳米线中少子寿命***低于薄膜材料体系的微观起源，并有助于纳米线表面特性的控制和掺杂纳米线光电性能的优化应用。

    　　该项工作得到了973项目、国家自然科学基金、中国科学院国际合作团队计划的资助。相关论文发表在最近一期的ACS Nano上(6卷，6005-6013) 。